觀點網訊：9月10日，據媒體報道，中國最大DRAM廠商長鑫存儲已啓動第四代高帶寬內存HBM3的試產，但初期良率停留在25%水平。

報道稱，長鑫存儲目前的產出中4個裏有3個是廢品。SK海力士自2022年起量產同類HBM3產品，良率已超過90%。

半導體行業公認的量產黃金良率為80%，長鑫存儲目前僅達到其三分之一。

另據9月9日行業消息，熟悉長鑫存儲情況的半導體設備行業高管透露，長鑫8層堆疊HBM3產品的前端工序良率約30%，其中能通過後端工序最終檢測的為七成左右。